مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوارهای گرافن


در حال بارگذاری
۱ آذر ۱۳۹۶
Doc
3.99MB
69
16 بازدید
۱۲۵۰۰ تومان
خرید

در این پایان نامه ابتدا مقدمه­ای از گرافن، روش ساخت، مزایا و کاربردهای آن در ترانزیستورهای اثر میدانی و تحقیقات انجام شده استخراج و مورد بررسی قرار خواهد گرفت، سپس مروری بر ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن خواهیم داشت و روش های شبیه‏سازی­ ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن معرفی و فرمول های محاسبه و شبیه سازی مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی معرفی می گردد. در ادامه پارامترهای موثر بر مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن، ارائه و نتایج شبیه‏سازی­های مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی برای ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن ماسفتی ترسیم می­گردد. نهایتا اثرات تغییر ساختار برمنحنی مشخصه­های ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن ، به روش تابع گرین غیرتعادلی با هدف بررسی تغییر پارامترهای موثر بر پاسخ گذرا  مورد ارزیابی قرار می گیرد.

 

 

  راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.